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NTMD6P02R2G價(jià)格

參考價(jià)格:¥2.0811

型號(hào):NTMD6P02R2G 品牌:ONSemi 備注:這里有NTMD6P02R2G多少錢(qián),2025年最近7天走勢(shì),今日出價(jià),今日競(jìng)價(jià),NTMD6P02R2G批發(fā)/采購(gòu)報(bào)價(jià),NTMD6P02R2G行情走勢(shì)銷(xiāo)售排行榜,NTMD6P02R2G報(bào)價(jià)。
型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠(chǎng)家 企業(yè) LOGO 操作
NTMD6P02R2G

Power MOSFET 6 A, 20 V, P??hannel SOIC??, Dual

文件:124.2 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

NTMD6P02R2G

Power MOSFET

文件:87.46 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Power MOSFET

文件:87.46 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Power MOSFET 6 Amps, 20 Volts P-Channel SO-8, Dual

文件:124.15 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

Power MOSFET 6 A, 20 V, P??hannel SOIC??, Dual

文件:124.2 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

NTMD6P02R2G產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    NTMD6P02R2G

  • 功能描述

    MOSFET 20V 6A P-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間:2025-9-12 13:00:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原裝現(xiàn)貨17377264928微信同號(hào)
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SOIC-8_150mil
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只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)!!

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