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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NTD4856N-1G

Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

文件：104.83 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半導體

NTD4856N-1G

Power MOSFET

文件：124.52 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半導體

NTD4856N-1G

Power MOSFET 25 V, 89 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

ONSEMI

安森美半導體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 89A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

NTD4856N-1G產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NTD4856N-1G

  • 功能描述

    MOSFET NFET 25V 89A 0.0047R DPAK

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-11 23:01:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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