位置:首頁 > IC中文資料第461頁 > NTB22N06
型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠家&企業(yè) | LOGO | 操作 |
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NTB22N06 | N??hannel Enhancement??ode Silicon Gate 文件:200.17 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半導體 | ||
N??hannel Power MOSFET 文件:200.14 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半導體 | |||
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. | CET-MOS 華瑞 | |||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. | CET-MOS 華瑞 | |||
N??hannel Enhancement??ode Silicon Gate 文件:200.17 Kbytes Page:7 Pages | ONSEMI 安森美半導體 |
NTB22N06產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
NTB22N06
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
IC供應商 | 芯片型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ONSEMICONDU |
24+ |
原廠封裝 |
2150 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
國產(chǎn) |
|||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原裝,質量保證 |
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ON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
|||
ON/安森美 |
20+ |
SO-263 |
32970 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263 |
38000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
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ONSEMICONDU |
6000 |
面議 |
19 |
DIP/SMD |
|||
ON/安森美 |
2447 |
D2PAK |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
|||
ON Semiconductor |
23+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
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2019-11-30
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