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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
NIS-02D1N0TRF

NIS-02D1N0TRF

NIC Components Corp

NIC Components Corp

 

NIS-02D1N0TRF產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    NIS-02D1N0TRF

  • 制造商

    NIC Components Corp

  • 功能描述

    IND CHIP 1NH 0.3NH 100MHZ 4Q-FCTR ALUMINA 550MA 0201 - Tape and Reel

更新時(shí)間:2025-8-24 23:01:02
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEXTCHIP
24+
NA/
3668
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票
NICCOMP
24+
SMD0402
59023
原裝現(xiàn)貨,樣品可售
NEXTCHIP
2223+
CCDIP16
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶(hù)做到零風(fēng)險(xiǎn)
NICC
23+
SMD
28000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
NEXTCHIP
23+
CCDIP16
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
NIC
2015+ROHS
SMD
579800
自家原裝現(xiàn)貨優(yōu)勢(shì)價(jià)格出售
NEXTCHIP
24+
CCDIP16
60000

NIS-02D1N0TRF數(shù)據(jù)表相關(guān)新聞

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    2022-11-22
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    日本NIPPON CHEMI-CON電解電容、日本NIPPON CHEMI-CON鋁電解電容 (又稱(chēng)NCC, 黑金剛,嘉美功,貴彌功) 日本NIPPON CHEMI-CON產(chǎn)品介紹鋁電解電容器的制造商 1931年,日本成功把電解蓄電器產(chǎn)品化。那一天開(kāi)始了日本貴彌功公司的歷史,也開(kāi)始了鋁電解電容器進(jìn)化。

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  • Nippon Chemi-Con黑金剛HHXC350ARA271MJA0G代理渠道18138231376

    Nippon Chemi-Con黑金剛HHXC350ARA271MJA0G代理渠道

    2020-9-26
  • NJC-165-RM原裝現(xiàn)貨

    深圳市大唐盛世半導(dǎo)體有限公司 手 機(jī):17727572380 。 電 話:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信號(hào):15096137729

    2019-12-25
  • NIS5101-智能熱插拔IC/浪涌限制器/斷路器

    在SMART熱插拔集成電路相結(jié)合的控制到單個(gè)IC的功能和節(jié)省設(shè)計(jì)時(shí)間和功率FET減少了一個(gè)完整的熱插拔所需的元件數(shù)量應(yīng)用程序。它被設(shè)計(jì)為允許安全地插入和去除- 48V背板的電子設(shè)備。該芯片的功能結(jié)合的綜合解決方案,使用簡(jiǎn)便,。智能熱插拔包括用戶(hù)可選擇的欠壓和過(guò)壓閉鎖水平。它還具有調(diào)節(jié)電流限制,可以減少?gòu)挠脝蝹€(gè)電阻的最高水平。最大電流水平的操作不需要額外的外部組件。內(nèi)部溫度關(guān)斷電路,大大增加此設(shè)備的可靠性。 特點(diǎn) •集成的電源設(shè)備 •100 V操作 •熱限制保護(hù) •可調(diào)電流限

    2013-1-3
  • NIS3001-集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET的同步降壓控制器的電源芯片

    NIS3001是一個(gè)集成的高功率多芯片解決方案DC到DC同步降壓轉(zhuǎn)換器。它包含兩間電力是由內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器控制的MOSFET。所有這三種芯片在電源QFN包PInPAKE包裝。的10.510.5毫米PInPAK]包增加功率密度,并簡(jiǎn)化PCB布局。該設(shè)備可用于單相或多相應(yīng)用。NIS3001實(shí)現(xiàn)最新的MOSFET技術(shù)。 控制MOSFET的設(shè)計(jì)提供更好的開(kāi)關(guān)相比,性能和低得多的溫度經(jīng)營(yíng)分立式解決方案。同步MOSFET設(shè)計(jì),以減少在高頻率的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損失。集成解決方案大大降低了寄生電感與傳統(tǒng)的分立式降壓轉(zhuǎn)換器和結(jié)果中的最高功率轉(zhuǎn)換效率。優(yōu)化的基礎(chǔ)上MOSFET的功率密度的NIS3001芯片尺寸和PInPAK設(shè)

    2012-11-12