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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NE94433-T1B-A

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

DESCRIPTION The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistors is intended for use in general purpose UHF oscillator and mixer applications. It is suitable for automotive keyless entry and TV tuner designs. The device features stable oscillation and small frequency drift during change

NEC

瑞薩

NE94433-T1B-A

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 描述：TRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SO 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

CEL

NE94433-T1B-A

RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23

CEL

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

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NEC

瑞薩

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

DESCRIPTION The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistors is intended for use in general purpose UHF oscillator and mixer applications. It is suitable for automotive keyless entry and TV tuner designs. The device features stable oscillation and small frequency drift during change

NEC

瑞薩

NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

文件：61.82 Kbytes Page：8 Pages

CEL

NE94433-T1B-A產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NE94433-T1B-A

  • 功能描述

    射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor

  • RoHS

    否

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶體管極性

    NPN

  • 最大工作頻率

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流

    0.15 A

  • 功率耗散

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度

    + 150 C

  • 封裝/箱體

    SOT-223

  • 封裝

    Reel

更新時(shí)間：2025-9-19 19:59:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NEC
25+
SOP-8
18000
原廠直接發(fā)貨進(jìn)口原裝
NEC
25+
SOT-23
18237
NEC原裝特價(jià)NE94433-T1B-A即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
NEC
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
NEC
23+
SOT-23
50000
原裝正品 支持實(shí)單
RENESAS/瑞薩
21+
SOT23
1855
PHI
9731
179
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中!
RENESAS/瑞薩
22+
SOT23
12245
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十!
原廠
2023+
模塊
600
專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
原廠正品
23+
SOT23
5000
原裝正品,假一罰十

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    進(jìn)口代理

    2024-2-27

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  • NE57811-先進(jìn)的DDR內(nèi)存，關(guān)閉終端電源

    描述 NE57811目的是提供一個終止的權(quán)力雙數(shù)據(jù)速率（DDR）SDRAM內(nèi)存總線。它顯著減少元件數(shù)量，電路板空間和整體系統(tǒng)成本比以前的解決方案。NE57811 DDR終端穩(wěn)壓器維持輸出RAM的電壓（DDR參考總線電壓）的一半，電源電壓。它是能夠提供高達(dá)± 3.5一個持續(xù)時(shí)期。過流限制保護(hù)從浪涌NE57811啟動電流和過熱關(guān)斷保護(hù)在極端溫度情況下的設(shè)備。SPAK - 5（SOT756）包熱強(qiáng)大的靈活性散熱設(shè)計(jì)。由于NE57811是一個線性穩(wěn)壓器，沒有外部電感器或開關(guān)場效應(yīng)管是必要的。響應(yīng)速度快負(fù)載的變化，降低輸出電容器的需求。 特點(diǎn)

    2013-1-14

  • NE56631-30D-低有效的系統(tǒng)復(fù)位

    NE56631- XX是一個家庭的低有效，上電復(fù)位內(nèi)提供±3％及超精密的閾值電壓檢測低工作電源電流通常為1.5毫安。幾種檢測閾值電壓可在1.9 V，2.0 V，為2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根據(jù)要求提供其它閾值從100 mV的步長1.9 V至4.6 V。隨著它的超低電源電流和高精密電壓閾值NE56631- XX的檢測能力，非常適合各種如復(fù)位邏輯電路和電池供電應(yīng)用微處理器，電壓檢查和檢測水平。 應(yīng)用 •復(fù)位微處理器和邏輯電路 •電壓

    2012-11-18

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