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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NE68530-T1

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECs family of high frequency, low cost, surface mount devices are well suited for portable wireless communications and cellular radio applications. The NE685 series of high fT (12 GHz) devices is suitable for very low voltage/low current, low noise applications. These products are i

NEC

瑞薩

NE68530-T1

封裝/外殼：SC-70，SOT-323 包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

CEL

NE68530-T1

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323

CEL

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323

CEL

封裝/外殼：SC-70，SOT-323 包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT） 描述：RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

CEL

SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件：354.67 Kbytes Page：18 Pages

CEL

NE68530-T1產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    NE68530-T1

  • 功能描述

    射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency

  • RoHS

    否

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Single

  • 晶體管極性

    NPN

  • 最大工作頻率

    7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    15 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO

    2 V

  • 集電極連續(xù)電流

    0.15 A

  • 功率耗散

    1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe

  • 最大工作溫度

    + 150 C

  • 封裝/箱體

    SOT-223

  • 封裝

    Reel

更新時(shí)間：2025-9-16 18:52:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
300k庫(kù)存NEC
20+
SOT323
49000
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
NEC
2016+
SOT323
3000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
RENESAS/瑞薩
25+
SOT-23
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
NEC(VA)
23+
原廠封裝
13528
振宏微原裝正品,假一罰百
RENESAS/瑞薩
24+
NA/
13000
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
RENESAS/瑞薩
23+
SOT-323
26580
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
CEL
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣
NEC
24+
SOT-323
7500
NEC
2223+
SOT323
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)
CEL
25+
SC-70 SOT-323
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

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  • NE5568-交換式電源控制器

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  • NE57811-先進(jìn)的DDR內(nèi)存，關(guān)閉終端電源

    描述 NE57811目的是提供一個(gè)終止的權(quán)力雙數(shù)據(jù)速率（DDR）SDRAM內(nèi)存總線。它顯著減少元件數(shù)量，電路板空間和整體系統(tǒng)成本比以前的解決方案。NE57811 DDR終端穩(wěn)壓器維持輸出RAM的電壓（DDR參考總線電壓）的一半，電源電壓。它是能夠提供高達(dá)± 3.5一個(gè)持續(xù)時(shí)期。過流限制保護(hù)從浪涌NE57811啟動(dòng)電流和過熱關(guān)斷保護(hù)在極端溫度情況下的設(shè)備。SPAK - 5（SOT756）包熱強(qiáng)大的靈活性散熱設(shè)計(jì)。由于NE57811是一個(gè)線性穩(wěn)壓器，沒有外部電感器或開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管是必要的。響應(yīng)速度快負(fù)載的變化，降低輸出電容器的需求。 特點(diǎn)

    2013-1-14

  • NE56631-30D-低有效的系統(tǒng)復(fù)位

    NE56631- XX是一個(gè)家庭的低有效，上電復(fù)位內(nèi)提供±3％及超精密的閾值電壓檢測(cè)低工作電源電流通常為1.5毫安。幾種檢測(cè)閾值電壓可在1.9 V，2.0 V，為2.7 V，2.8 V，2.9 V，3.0 V，3.1 V，4.2 V，4.3 V，4.4 V，4.5 V，4.6 V。根據(jù)要求提供其它閾值從100 mV的步長(zhǎng)1.9 V至4.6 V。隨著它的超低電源電流和高精密電壓閾值NE56631- XX的檢測(cè)能力，非常適合各種如復(fù)位邏輯電路和電池供電應(yīng)用微處理器，電壓檢查和檢測(cè)水平。 應(yīng)用 •復(fù)位微處理器和邏輯電路 •電壓

    2012-11-18

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