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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NCE40P06J

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE40P06J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. General Features ● VDS = -40V,ID = -6A RDS(ON)

NCEPOWER

新潔能

NCE40P06J

12-150V P-Channel Trench MOSFET

NCEPOWER

新潔能

P??hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS ‐60V RDSON (MAX.) 62mΩ ID ‐17A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

華之美半導(dǎo)體

更新時間:2025-9-17 16:15:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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新結(jié)能全線供應(yīng),支持終端生產(chǎn)
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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