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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NAND01GW4B2CN6

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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STMICROELECTRONICS

意法半導體

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

numonyx

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Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

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NUMONYX

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意法半導體

NAND01GW4B2CN6產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND01GW4B2CN6

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

更新時間：2025-9-17 22:30:00
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