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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NAND01GW3B2CZA6F

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2CZA6F

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

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NUMONYX

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NAND01GW3B2CZA6F

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

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STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

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意法半導(dǎo)體

NAND01GW3B2CZA6F產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND01GW3B2CZA6F

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    Flash Mem Parallel 3V/3.3V 1G-Bit 128M x 8 25us 63-Pin VFBGA T/R

更新時(shí)間：2025-9-11 18:11:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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ICFLASH1GBIT48TSOP
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公司原裝現(xiàn)貨
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1000
MICRON專營原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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全新原裝、誠信經(jīng)營、公司現(xiàn)貨銷售

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