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NAND01GW3B2BZF5E

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

numonyx

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更新時間：2025-9-11 18:22:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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