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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
NAND01GW3B2BZA6E

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■ NAND interface – x8 or x16 bus width – Multiplexed address/ data – Pinout compatibility for all densities ■ Supply voltage: 1.8 V/3 V ■ Page size – x8 device: (2048 + 64 spare) bytes – x16 device: (1024 + 32 spare) words ■ Block size – x8 device: (128K + 4K spare) bytes – x16

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2BZA6E

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件：1.34162 Mbytes Page：60 Pages

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2BZA6E

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件：711.53 Kbytes Page：62 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

NAND01GW3B2BZA6E

封裝/外殼：63-TFBGA 包裝：管件 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA 集成電路（IC） 存儲器

ETC

知名廠家

NAND01GW3B2BZA6E

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA

Micron

美光

1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

文件：631.49 Kbytes Page：64 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半導(dǎo)體

1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory

文件：1.34162 Mbytes Page：60 Pages

NUMONYX

numonyx

NAND01GW3B2BZA6E產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    NAND01GW3B2BZA6E

  • 功能描述

    閃存 1 Gbit 2Gbit 2112b 1/8 V/3 V NFM

  • RoHS

    否

  • 制造商

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度

    1 bit

  • 存儲類型

    Flash

  • 存儲容量

    2 MB

  • 結(jié)構(gòu)

    256 K x 8

  • 接口類型

    SPI

  • 電源電壓-最大

    3.6 V

  • 電源電壓-最小

    2.3 V

  • 最大工作電流

    15 mA

  • 工作溫度

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝

    Reel

更新時間：2025-9-11 18:13:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
2016+
TSSOP48
3500
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
MICRON
1140+
BGA
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只做原廠原裝,認(rèn)準(zhǔn)寶芯創(chuàng)配單專家
ST
0946+
BGA
44
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
MICRON
1902+
BGA
2734
代理品牌
ST/意法
25+
BGA
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百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成
ST
24+
BGA
23000
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
Micron Technology Inc.
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6-WFBGA,CSPBGA
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