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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
MT28F128J3RG-12

Q-FLASHTM MEMORY

GENERAL DESCRIPTION The MT28F128J3 is a nonvolatile, electrically block erasable (Flash), programmable memory containing 134,217,728 bits organized as 16,777,218 bytes (8 bits) or 8,388,608 words (16 bits). This 128Mb device is organized as one hundred twenty-eight 128KB erase blocks. The MT28F64

Micron

美光

Q-FLASHTM MEMORY

GENERAL DESCRIPTION The MT28F128J3 is a nonvolatile, electrically block erasable (Flash), programmable memory containing 134,217,728 bits organized as 16,777,218 bytes (8 bits) or 8,388,608 words (16 bits). This 128Mb device is organized as one hundred twenty-eight 128KB erase blocks. The MT28F64

Micron

美光

封裝/外殼：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 包裝：管件 描述：IC FLASH 128MBIT PAR 56TSOP I 集成電路（IC） 存儲器

ETC

知名廠家

封裝/外殼：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 包裝：管件 描述：IC FLASH 128MBIT PAR 56TSOP I 集成電路（IC） 存儲器

ETC

知名廠家

MT28F128J3RG-12產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    MT28F128J3RG-12

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    NAND Flash Parallel 3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 150ns 56-Pin TSOP-I Tray

  • 制造商

    Micron Technology Inc

  • 功能描述

    8M X 16 FLASH 2.7V PROM, 120 ns, 56 Pin Plastic SMT

更新時間：2025-9-10 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MRON/美光
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