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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
MRF6P24190HR6

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

2450 MHz, 190 W, 28 V CW LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed primarily for large-signal output applications at 2450 MHz. Device is suitable for use in industrial, medical and scientific applications. ? Typical CW Performance at 2450 MHz, VDD = 28 Volts, IDQ = 1900 mA, Pout = 190 Watts

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P24190HR6

RF Power Field Effect Transistor

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P24190HR6

封裝/外殼：NI-1230 包裝：卷帶（TR） 描述：FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

ETC

知名廠家

RF Power Field Effect Transistor

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飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6P24190HR6產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    MRF6P24190HR6

  • 功能描述

    射頻MOSFET電源晶體管 2.4GHZ HV6 40W

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 頻率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 輸出功率

    100 W

  • 封裝/箱體

    NI-780-4

  • 封裝

    Tray

更新時間：2025-9-3 13:58:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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