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MRF5S21045NR1

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN - PCS/cellular radio and WLL applicat

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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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封裝/外殼:TO-270AB 包裝:卷帶(TR) 描述:FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

ETC

知名廠家

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MRF5S21045NR1產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    MRF5S21045NR1

  • 功能描述

    射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 10W

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 頻率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 輸出功率

    100 W

  • 封裝/箱體

    NI-780-4

  • 封裝

    Tray

更新時間:2025-9-11 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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