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MMBA811C5晶體管資料

  • MMBA811C5別名：MMBA811C5三極管、MMBA811C5晶體管、MMBA811C5晶體三極管

  • MMBA811C5生產(chǎn)廠家：美國摩托羅拉半導(dǎo)體公司

  • MMBA811C5制作材料：

  • MMBA811C5性質(zhì)：低頻或音頻放大 （LF）_通用 （G）

  • MMBA811C5封裝形式：

  • MMBA811C5極限工作電壓：50V

  • MMBA811C5最大電流允許值：0.05A

  • MMBA811C5最大工作頻率：<1MHZ或未知

  • MMBA811C5引腳數(shù)：

  • MMBA811C5最大耗散功率：0.3W

  • MMBA811C5放大倍數(shù)：

  • MMBA811C5圖片代號(hào)：NO

  • MMBA811C5vtest：50

  • MMBA811C5htest：999900

  • MMBA811C5atest：0.05

  • MMBA811C5wtest：0.3

  • MMBA811C5代換 MMBA811C5用什么型號(hào)代替：2SA811C5,3CG120C,

型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
MMBA811C5

PNP (DRIVER TRANSISTOR)

DRIVER TRANSISTOR

Samsung

三星

MMBA811C5

PNP (DRIVER TRANSISTOR)

Samsung

三星

MMBA811C5產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    MMBA811C5

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全稱

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    PNP(DRIVER TRANSISTOR)

更新時(shí)間：2025-9-13 17:46:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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