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MJD117-251

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·High DC current gain ·Lead formed for surface mount applications ·Built-in a damper diode at E-C ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

ISC

無錫固電

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·High DC current gain ·Built-in a damper diode at E-C ·Electrically similar to popular TIP117 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

ISC

無錫固電

更新時間：2025-9-15 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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