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MBRS130LT3G_V01

Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal?to?silicon power diode. State?of?the?art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

更新時間:2025-8-30 8:48:00
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