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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
LN60A01ES

600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

文件：238.66 Kbytes Page：7 Pages

MPS

美國(guó)芯源

600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

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600V, Triple N-Channel MOSFET with Common Gate Control

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MPS

美國(guó)芯源

Schottky Barrier Diode

FEATURES * Similar to TO-247AC(TO-3P)Case * Extremely Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Current Capability

NIEC

Nihon Inter Electronics Corporation

LN60A01ES產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    LN60A01ES

  • 功能描述

    MOSFET 600V, 3 N-Channel FET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-8-12 23:00:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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