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LMTM5N06

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：1.14303 Mbytes Page：6 Pages

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

LEIDITECH

PowerFieldEffectTransistors

PowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancementModeSiliconGate DPAKforSurfaceMountorInsertionMount

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

Motorola

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：339.17 Kbytes Page：4 Pages

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SECOS
更新時間：2025-7-25 15:01:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MURATA/村田
2447
SMD
100500
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