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MicropowerVoltageReferenceDiode

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NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

NSC

MicropowerVoltageReferenceDiode

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NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

NSC

MicropowerVoltageReferenceDiode

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NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導(dǎo)體美國國家半導(dǎo)體公司

NSC

LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-NMicropowerVoltageReferenceDiode

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TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1

LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-NMicropowerVoltageReferenceDiode

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TI1Texas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TI1
更新時(shí)間:2025-7-21 19:17:01
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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LM385BM-1.2-NOP芯片相關(guān)品牌

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LM385BM-1.2-NOP數(shù)據(jù)表相關(guān)新聞

  • LM385D-1-2

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    2024-3-27
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    2021-7-14
  • LM385BDR-1-2

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    2021-7-14
  • LM385M3X-2.5

    LM385M3X-2.5特性?±20mV(±0.8%)最大初始公差(Agrade)工作電流為20μAto20mA0.6Ω動(dòng)態(tài)阻抗(A級)低溫系數(shù)低壓基準(zhǔn)-2.5v1.2V裝置和可調(diào)裝置分別可用-LM185-1.2系列和LM185系列

    2019-5-8
  • LM385-1.2&2.5V的微功耗電壓基準(zhǔn)

    描述微功耗電壓的LM385/385B帶隙參考兩個(gè)終端基準(zhǔn)二極管設(shè)計(jì)和優(yōu)化準(zhǔn)確的低功耗操作便攜式和其他電源敏感系統(tǒng)。操作電流保證可低至15μA的最多20mA的為LM385/385B-1.2,并為20μA為LM385/385B-2.5高達(dá)20mA的,給設(shè)計(jì)者提供了極大的靈活性在優(yōu)化功耗,噪音和最終的應(yīng)用性能。隨著一個(gè)附加的功能,參考輸出阻抗是在非常低整個(gè)工作范圍內(nèi)的靜態(tài)電流。這使得在相當(dāng)寬收效甚微動(dòng)態(tài)負(fù)載范圍整體參考的準(zhǔn)確性。該LM385系列提供固定1.2V和2.5V的參考價(jià)值。工藝電路設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供具有精度高,初始容差值1%的LM385B-1.2,2%在LM385-1.2,

    2013-3-20
  • LM3812M-7.0-精密超低損耗檢測元件和PWM輸出電流計(jì)IC

    LM3812/LM3813電流計(jì)提供易于使用精確的電流測量幾乎是零插入損失(通常為0.004W)。LM3812是用于高側(cè)傳感和LM3813是用于低端檢測。納入了△-Σ模數(shù)轉(zhuǎn)換器精確地測量電流,并提供了目前的平均功能。當(dāng)前平均50毫秒的時(shí)間段為了提供電流尖峰的免疫力。該集成電路有一個(gè)脈寬調(diào)制(PWM)輸出,這表明電流的大小和方向。關(guān)斷引腳可以用于抑制啟動(dòng)過程中的誤觸發(fā),或進(jìn)入低靜態(tài)電流模式。LM3812和LM3813是出廠設(shè)置,在兩種不同的電流選項(xiàng)。檢測范圍是-1A1或7A至7A。這些零件的采樣間隔為50ms。如果更快的采樣需要,請參閱數(shù)據(jù)表的部分LM3814和LM3815。

    2012-11-19