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P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -65A, RDS(ON) = 9mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead free product is acquired. RDS(ON) = 12mW @VGS = -4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES -30V, -65A, RDS(ON) = 9mW @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead free product is acquired. RDS(ON) = 12mW @VGS = -4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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PANJIT

強茂

更新時間：2025-8-25 23:01:01
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CET/華瑞
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