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40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

Features ? Very low rDS(ON) 3.5mΩ (typical) ? Ultra low total gate charge 19nC (typical) ? ISL70020SEH radiation acceptance testing ○ High dose rate (50-300rad(Si)/s): 100krad(Si) ○ Low dose rate (0.01rad(Si)/s): 75krad(Si) ? ISL73020SEH radiation acceptance testing ○ Low dose rate (0.01rad

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瑞薩

40V, 65A Enhancement Mode GaN Power Transistors

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AMI

AMI SEMICONDUCTOR

更新時間：2025-9-3 13:10:01
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