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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IXUC100N055

Electrically Isolated Back Surface

Trench Power MOSFET ISOPLUS220? Electrically Isolated Back Surface Features ? Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation ? Trench MOSFET - very low RDS(on) - fast switching - usable intr

IXYS

艾賽斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

Product Scout Automotive

文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages

RENESAS

瑞薩

Product Scout Automotive

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RENESAS

瑞薩

IXUC100N055產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IXUC100N055

  • 功能描述

    MOSFET 100 Amps 55V 6.1 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-9-6 18:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
專業(yè)模塊
MODULE
8513
模塊原裝主營-可開原型號增稅票
IXYS
1922+
ISOPLUS220
1855
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
IXYS/艾賽斯
23+
ISOPLUS220
5000
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
IXYS
22+
SOT227
8000
原裝正品支持實(shí)單
IXYS
23+
350A100V
160
全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢!
IXYS
22+
ISOPLUS220?
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
IXYS
23+
TO-220
7000
IXYS
21+
SOT-227B
1000
主打產(chǎn)品價(jià)格優(yōu)惠.全新原裝正品
IXFN
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
IXYS
23+
ISOPLUS220
1855
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

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