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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導體

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件：119.44 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

艾賽斯

Power MOSFET

文件：208.05 Kbytes Page：6 Pages

IXYS

艾賽斯

Polar HiPerFET Power MOSFET

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IXYS

艾賽斯

更新時間：2025-8-31 23:01:01
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IXYS/艾賽斯
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