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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

? DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications

UTC

友順

Avalanche Energy Specified

DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements

ISC

無錫固電

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages

ZSELEC

淄博圣諾

N-Channel Power MOSFET

文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages

NELLSEMI

尼爾半導(dǎo)體

N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET

文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半導(dǎo)體

更新時間：2025-8-31 23:01:01
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