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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G12P06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

無錫固電

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

Motorola

摩托羅拉

Power Field Effect Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

Power Field Effect Transistor

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

更新時間:2025-9-5 9:07:01
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