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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IXGX64N60B3D1

GenX3 600V IGBT with Diode

Medium speed low Vsat PT IGBTs 5-40 kHz switching Features ? Optimized for low conduction and switching losses ? Square RBSOA ? Anti-parallel ultra fast diode ? International standard packages Advantages ? High power density ? Low gate drive requirement Applications ? Power Inverter

IXYS

艾賽斯

IXGX64N60B3D1

600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages

IXYS

艾賽斯

IXGX64N60B3D1

封裝/外殼：TO-247-3 變式 包裝：管件 描述：IGBT 600V 460W PLUS247 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

IXYS

艾賽斯

GenX3 600V IGBT with Diode

Medium speed low Vsat PT IGBTs 5-40 kHz switching Features ? Optimized for low conduction and switching losses ? Square RBSOA ? Anti-parallel ultra fast diode ? International standard packages Advantages ? High power density ? Low gate drive requirement Applications ? Power Inverter

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600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications

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IXYS

艾賽斯

IXGX64N60B3D1產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IXGX64N60B3D1

  • 功能描述

    IGBT 模塊 Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作溫度

    + 125 C

  • 封裝/箱體

    34MM

更新時間：2025-8-14 18:24:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
IXYS/艾賽斯
22+
PLUS-247
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS247
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
IXYS/艾賽斯
24+
TO-247
13000
原裝,現(xiàn)貨,正品,熱賣
IXYS/艾賽斯
24+
TO-247
49300
只做全新原裝進口現(xiàn)貨
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
IXYS
25+
TO-247-3 變式
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
IXYS/艾賽斯
23+
PLUS-247
6000
原裝正品，支持實單
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1809+
TO-247
326
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