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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IXGX120N60B3

GenX3600VIGBTs

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXGX120N60B3

600VGenX3IGBTsnextgeneration600VIGBTsforpowerconversionapplications

文件:839.36 Kbytes Page:4 Pages

IXYS

IXYS Corporation

IXYS
IXGX120N60B3

封裝/外殼:TO-247-3 變式 包裝:管件 描述:IGBT 600V 280A 780W PLUS247 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

IXYS

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GenX3600VIGBTs

OVERVIEW IXYSextendsitsGenX3?insulatedgatebipolartransistor(IGBT)productlineto600volts.ThesenewIGBTsaremanufacturedusingIXYS’state-of-the-artGenX3?IGBTprocessandutilizeIXYS’advancedPunch-Though(PT)technology,tailoredtoprovidehighersurgecurrentcapabil

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IXGX120N60B3產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IXGX120N60B3

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 120Amps 600V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間:2025-7-29 16:12:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS/艾賽斯
22+
PLUS247
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
IXYS
22+
PLUS247?3
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
IXYS
25+
TO-247-3 變式
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
IXYS/艾賽斯
24+
NA/
17138
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
IXYS
23+
TO247
7000
IXYS
23+
TO247
8000
只做原裝現(xiàn)貨
IXYS/艾賽斯
24+
TO247
60000
IXYS/艾賽斯
23+
TO247
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
IXYS/艾賽斯
21+
TO247
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十

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