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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IXGT50N90B2D1

封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA 包裝:管件 描述:IGBT 900V 75A 400W TO268 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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HiPerFAST IGBT with Fast Diode

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B2-Class High Speed IGBT with Fast Diode

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IXGT50N90B2D1產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IXGT50N90B2D1

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 75 Amps 900V

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時間:2025-9-3 13:31:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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24+
TO-268
8866
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23+
TO-268
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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17+
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1000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
32322
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
IXYS(艾賽斯)
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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