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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IXGT30N60B2

HiPerFAST IGBT

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features Medium frequency IGBT Square RBSOA High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾賽斯

IXGT30N60B2

封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 包裝：管件 描述：IGBT 600V 70A 190W TO268 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

IXYS

艾賽斯

HiPerFAST IGBT

HiPerFAST? IGBT Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features ● Medium frequency IGBT ● Square RBSOA ● High current handling capability ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ● PFC circuits ● Uninterruptible power supplies (UPS) ● Switch

IXYS

艾賽斯

封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 包裝：管件 描述：IGBT 600V 70A 190W TO268 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

IXYS

艾賽斯

HiPerFAST IGBT

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching Features Medium frequency IGBT Square RBSOA High current handling capability MOS Gate turn-on - drive simplicity

IXYS

艾賽斯

Optimized for 10-25 KHz hard switching and up to 150 KHz resonant switching

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IXYS

艾賽斯

IXGT30N60B2產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IXGT30N60B2

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 30 Amps 600V 1.8 V Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-3 12:09:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IXYS
10+
TO-268
100
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
IXYS/艾賽斯
23+
TO-268
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
IXYS/艾賽斯
23+
21368
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
IXYS(艾賽斯)
23+
N/A
7500
IXYS(艾賽斯)全系列在售
IXYS
23+
TO-268
8000
只做原裝現(xiàn)貨
IXYS
25+
TO-268-3 D?Pak(2 引線 + 接片
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
IXYS
22+
TO268
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
IXYS/艾賽斯
21+
TO-268
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
IXYS
24+
TO-268
8866
IXYS
23+
NA
19960
只做進口原裝,終端工廠免費送樣

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