位置:首頁 > IC中文資料第4253頁 > IXGR120N60B
型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠家&企業(yè) | LOGO | 操作 |
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IXGR120N60B | HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM 文件:566.42 Kbytes Page:5 Pages | IXYS 艾賽斯 | ||
IXGR120N60B | 封裝/外殼:TO-247-3 包裝:管件 描述:IGBT 600V 156A 520W ISOPLUS247 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 | IXYS 艾賽斯 | ||
Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件:1.9321 Mbytes Page:16 Pages | Infineon 英飛凌 | |||
Increased current capability 文件:1.9707 Mbytes Page:16 Pages | Infineon 英飛凌 | |||
very tight parameter distribution 文件:2.26713 Mbytes Page:16 Pages | Infineon 英飛凌 | |||
HiPerFAST IGBT 文件:46.46 Kbytes Page:2 Pages | IXYS 艾賽斯 |
IXGR120N60B產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IXGR120N60B
- 功能描述
IGBT 晶體管 76 Amps 600V 2.1 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO
650 V
- 集電極—射極飽和電壓
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流
150 A
- 柵極—射極漏泄電流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封裝/箱體
TO-247
- 封裝
Tube
IC供應(yīng)商 | 芯片型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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IXYS(艾賽斯) |
23+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾賽斯)全系列在售 |
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IXYS/艾賽斯 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126 |
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IXYS/艾賽斯 |
23+ |
ISOPLUS24 |
5000 |
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
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IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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IXYS/LITTELFUSE |
1940 |
TO-247 |
15800 |
全新原裝正品現(xiàn)貨直銷 |
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2020+ |
原廠封裝 |
6500 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
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IXYS |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
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IXYS/艾賽斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
6000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
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IXYS |
1503+ |
TO-247 |
3000 |
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IXGR120N60B芯片相關(guān)品牌
IXGR120N60B規(guī)格書下載地址
IXGR120N60B參數(shù)引腳圖相關(guān)
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- l101
- l100
- ku波段
- kt250
- kse13005
- ks20
- km710
- ka5q1265rf
- k9f1208
- k310
- k2698
- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk觸發(fā)器
- j111
- j108
- IXXBB1
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- IXGR40N120A2D1
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- IXGR35N120BD1
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- IXGR24N120C3D1
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- IXGR120N60C2
- IXGR 40N60CD1
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- IXGQ85N33PCD1
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- IXGQ35N120BD1
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- IXGQ28N120BD1
- IXGQ28N120B
- IXGQ240N30PB
- IXGQ20N120BD1
- IXGQ20N120B
- IXGQ200N30PB
- IXGQ180N33TCD1
- IXGQ180N33TC
- IXGQ170N30PB
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- IXDI509
- IXDI504
- IXDI430
- IXDI414
IXGR120N60B數(shù)據(jù)表相關(guān)新聞
IXFT60N60X3HV
IXFT60N60X3HV
2022-8-11IXFP22N65X2M
原裝正品現(xiàn)貨
2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1,全新原裝當(dāng)天發(fā)貨或門市自取0755-82732291.
2019-12-2IXOLAR?高效25%SolarMD模塊SM111K04L
IXYS / Littelfuse的SolarMD模塊非常適合為許多類型的電池供電或綠色電力產(chǎn)品充電
2019-9-17IXOLAR?高效25%SolarBIT太陽能電池KXOB25-12X1F
IXYS / Littelfuse的SolarBIT非常適合為許多類型的電池供電的電網(wǎng)產(chǎn)品充電
2019-9-17IXPD610-工業(yè)控制IC
IXDP610數(shù)字脈寬調(diào)制器(DPWM)是一個(gè)可編程CMOS LSI器件接收數(shù)字從一個(gè)微處理器的脈沖寬度數(shù)據(jù)并生成兩個(gè)相輔相成的,非重疊,脈沖寬度調(diào)制直接數(shù)字控制信號開關(guān)電源的橋梁。 DPWM是根據(jù)操作直接控制的微處理器和與大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)的接口,輕松微處理器和微型計(jì)算機(jī)巴士。 IXDP610封裝在18引腳超薄的DP。所產(chǎn)生的PWM波形IXDP610從比較的結(jié)果輸出的脈沖寬度計(jì)數(shù)器在脈沖寬度存儲的電話號碼鎖存(見下文)。一個(gè)可編程“死時(shí)間”已被納入PWM波形。死區(qū)時(shí)間邏輯禁用在每兩個(gè)輸出比較器輸出的過渡所需的死區(qū)時(shí)間間隔。輸出級提供互補(bǔ)PWM輸出信號的能力下沉和采購20毫安的TTL電壓水平。輸出禁用
2012-11-29
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