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Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar? Power MOSFET HiPerFET? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrisic Diode Features ? Fast intrinsic diode ? Avalanche Rated ? Low RDS(ON) and QG ? Low package inductance Advantages ? Easy to mount ? Space savings ? High power density Applications ? DC-DC coverters

IXYS

艾賽斯

N-Channel Power MOSFET

DESCRIPTION ·Drain Current –ID= 140A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 34mΩ(max)@VGS= 10V ·Fast-recovery body diode APPLICATIONS ·DC-DC coverters ·AC and DC motor control ·Battery chargers ·Uninterrupted power supplies

ISC

無錫固電

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：277.25 Kbytes Page：4 Pages

DACO

罡境電子

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件：121.06 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

艾賽斯

Polar Power MOSFET HiPerFET

文件：128.539 Kbytes Page：5 Pages

IXYS

艾賽斯

更新時(shí)間：2025-9-3 13:51:01
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
IXYS
22+
TO2643 TO264AA
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
IXYS/艾賽斯
24+
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價(jià)
IXYS
24+
TO-264
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IXYS
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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原裝優(yōu)勢主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票
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一級(jí)代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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IXYS(艾賽斯)全系列在售
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只做原裝現(xiàn)貨
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  • IXPD610-工業(yè)控制IC

    IXDP610數(shù)字脈寬調(diào)制器（DPWM）是一個(gè)可編程CMOS LSI器件接收數(shù)字從一個(gè)微處理器的脈沖寬度數(shù)據(jù)并生成兩個(gè)相輔相成的，非重疊，脈沖寬度調(diào)制直接數(shù)字控制信號(hào)開關(guān)電源的橋梁。 DPWM是根據(jù)操作直接控制的微處理器和與大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)的接口，輕松微處理器和微型計(jì)算機(jī)巴士。 IXDP610封裝在18引腳超薄的DP。所產(chǎn)生的PWM波形IXDP610從比較的結(jié)果輸出的脈沖寬度計(jì)數(shù)器在脈沖寬度存儲(chǔ)的電話號(hào)碼鎖存（見下文）。一個(gè)可編程“死時(shí)間”已被納入PWM波形。死區(qū)時(shí)間邏輯禁用在每兩個(gè)輸出比較器輸出的過渡所需的死區(qū)時(shí)間間隔。輸出級(jí)提供互補(bǔ)PWM輸出信號(hào)的能力下沉和采購20毫安的TTL電壓水平。輸出禁用

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