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型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠家&企業(yè) | LOGO | 操作 |
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IXGP12N60C | HiPerFAST IGBT Features ?Very high freqency IGBT ?New generation HDMOSTM process ?International standard package JEDEC TO-220AB and TO-263AA ?High peak current handling capability Applications ?PFC circuits ?AC motor speed control ?DC servo & robot drives ?Switch-mode and reson | IXYS 艾賽斯 | ||
IXGP12N60C | 封裝/外殼:TO-220-3 包裝:管件 描述:IGBT 600V 24A 100W TO220 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 | IXYS 艾賽斯 | ||
HiPerFAST IGBT Lightspeed Series Features ?Very high frequency IGBT ?New generation HDMOSTM process ?International standard package JEDEC TO-220AB and TO-263AA ?High peak current handling capability Applications ?PFC circuit ?AC motor speed control ?DC servo and robot drives ?Switch-mode and reso | IXYS 艾賽斯 | |||
封裝/外殼:TO-220-3 包裝:管件 描述:IGBT 600V 24A 100W TO220 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 | IXYS 艾賽斯 | |||
12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET The UTC 12N60are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced using UTCs proprietary, planar stripe, DMOS technology. These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance, provide superior switching p | UTC 友順 | |||
12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET 文件:358.2 Kbytes Page:7 Pages | UTC 友順 | |||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:897.58 Kbytes Page:11 Pages | WXDH 東海半導體 | |||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:898.09 Kbytes Page:11 Pages | WXDH 東海半導體 | |||
12A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:897.54 Kbytes Page:11 Pages | WXDH 東海半導體 |
IXGP12N60C產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號
IXGP12N60C
- 功能描述
IGBT 晶體管 20 Amps 600V 2.7 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO
650 V
- 集電極—射極飽和電壓
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流
150 A
- 柵極—射極漏泄電流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封裝/箱體
TO-247
- 封裝
Tube
IC供應商 | 芯片型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO |
10000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
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IXYS |
IGBTTO-22 |
56520 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
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IXYS |
23+ |
TO-220F |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
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IXYS/艾賽斯 |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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IXYS |
25+ |
TO-TO-220 |
12300 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
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IXYS |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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IXYS |
24+ |
TO220 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
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IXYS/艾賽斯 |
21+ |
TO-220F |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
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IXYS |
24+ |
TO-220 |
8866 |
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IXYS/艾賽斯 |
24+ |
IGBTTO-220F |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
IXGP12N60C芯片相關品牌
IXGP12N60C規(guī)格書下載地址
IXGP12N60C參數(shù)引腳圖相關
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- l100
- ku波段
- kt250
- kse13005
- ks20
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- k9f1208
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- k233
- k2055
- k2010
- jumper
- jtag接口
- jk觸發(fā)器
- j111
- j108
- IXXBB1
- IXXBA3
- IXXBA1
- IXXAB3
- IXXAB1
- IXXAA3
- IXXAA1
- IXT905
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- IXS839A
- IXS839
- IXR100
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- IXGP24N60C4
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- IXGP24N120C3
- IXGP20N60B
- IXGP20N120BD1
- IXGP20N120B3
- IXGP20N120B
- IXGP20N120A3
- IXGP20N120
- IXGP20N100
- IXGP16N60C2D1
- IXGP16N60C2
- IXGP16N60B2D1
- IXGP16N60B2
- IXGP15N120C
- IXGP15N120B
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IXGP12N60C數(shù)據(jù)表相關新聞
IXFT60N60X3HV
IXFT60N60X3HV
2022-8-11IXFP22N65X2M
原裝正品現(xiàn)貨
2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1,全新原裝當天發(fā)貨或門市自取0755-82732291.
2019-12-2IXOLAR?高效25%SolarMD模塊SM111K04L
IXYS / Littelfuse的SolarMD模塊非常適合為許多類型的電池供電或綠色電力產(chǎn)品充電
2019-9-17IXOLAR?高效25%SolarBIT太陽能電池KXOB25-12X1F
IXYS / Littelfuse的SolarBIT非常適合為許多類型的電池供電的電網(wǎng)產(chǎn)品充電
2019-9-17IXPD610-工業(yè)控制IC
IXDP610數(shù)字脈寬調(diào)制器(DPWM)是一個可編程CMOS LSI器件接收數(shù)字從一個微處理器的脈沖寬度數(shù)據(jù)并生成兩個相輔相成的,非重疊,脈沖寬度調(diào)制直接數(shù)字控制信號開關電源的橋梁。 DPWM是根據(jù)操作直接控制的微處理器和與大多數(shù)標準的接口,輕松微處理器和微型計算機巴士。 IXDP610封裝在18引腳超薄的DP。所產(chǎn)生的PWM波形IXDP610從比較的結果輸出的脈沖寬度計數(shù)器在脈沖寬度存儲的電話號碼鎖存(見下文)。一個可編程“死時間”已被納入PWM波形。死區(qū)時間邏輯禁用在每兩個輸出比較器輸出的過渡所需的死區(qū)時間間隔。輸出級提供互補PWM輸出信號的能力下沉和采購20毫安的TTL電壓水平。輸出禁用
2012-11-29
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