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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IXGH28N120BD1

High Voltage IGBT w/ Diode

Features ● International Standard Packages JEDEC TO-247AD & TO-268 ● IGBT and Anti-Parallel FRED for Resonant Power Supplies - Induction Heating - Rice Cookers ● MOS Gate Turn-On ● Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - Soft Recovery with Low IRM Advantages ● Saves S

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IXGH28N120BD1

封裝/外殼：TO-247-3 包裝：卷帶（TR） 描述：IGBT 1200V 50A 250W TO247 分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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High Voltage IGBT with Diode

Features ? International standard package ? IGBT and anti-parallel FRED for resonant power supplies - Induction heating - Rice cookers ? MOS Gate turn-on - drive simplicity ? Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low IRM Advantages ? Saves space (two

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艾賽斯

High Voltage IGBT w/ Diode

Features ● International Standard Packages JEDEC TO-247AD & TO-268 ● IGBT and Anti-Parallel FRED for Resonant Power Supplies - Induction Heating - Rice Cookers ● MOS Gate Turn-On ● Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - Soft Recovery with Low IRM Advantages ● Saves S

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IXGH28N120BD1產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IXGH28N120BD1

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 28 Amps 1200V 3.50 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-7 14:16:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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