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IRGIB7B60KDPBF價(jià)格

參考價(jià)格：￥7.2015

型號：IRGIB7B60KDPBF 品牌：INTERNATIONAL 備注：這里有IRGIB7B60KDPBF多少錢，2025年最近7天走勢，今日出價(jià)，今日競價(jià)，IRGIB7B60KDPBF批發(fā)/采購報(bào)價(jià)，IRGIB7B60KDPBF行情走勢銷售排行榜，IRGIB7B60KDPBF報(bào)價(jià)。
型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IRGIB7B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. ? 10μs Short Circuit Capability. ? Square RBSOA. ? Positive VCE (on) Temperature Coefficient. ? Maximum Junction Temperature rated at 175°C. ? Lead-Free Benefits ? Benchmark Efficiency for Motor Control. ? Rugged Transient Perform

IRF

IRGIB7B60KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：911.72 Kbytes Page：13 Pages

IRF

IRGIB7B60KDPBF

封裝/外殼：TO-220-3 整包 包裝：卷帶（TR） 描述：IGBT 600V 12A 39W TO220FP 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

Infineon

英飛凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features ? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. ? 10μs Short Circuit Capability. ? Square RBSOA. ? Positive VCE (on) Temperature Coefficient. ? Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits ? Benchmark Efficiency for Motor Control. ? Rugged Transient Performance. ? Low

IRF

IRGIB7B60KDPBF產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IRGIB7B60KDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 600V Low-Vceon

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-9-3 13:31:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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原廠全新正品旗艦店優(yōu)勢現(xiàn)貨
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