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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
IRF7105QPBF

HEXFET Power MOSFET

DESCRIPTION These HEXFET?Power MOSFETs in a Dual SO-8 package utilize the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of these HEXFET Power MOSFETs are a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetiti

IRF

IRF7105QPBF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飛凌

HEXFETPOWERMOSFET

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Common Mode EMI Inductors

[J.W.Miller] Special Features ?Reduce conductive EMI emission ?High current capacity ?High impedance at low frequency ?Dielectric strength 3750VRMS ?Coil wound on VW-1 rated plastic cased ferrite core ?Operating temperature -55 to +105°C

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IRF7105QPBF產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IRF7105QPBF

  • 功能描述

    MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-18 16:23:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
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4220
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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100%原裝正品現(xiàn)貨
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