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IRF3415STRLPBF價格

參考價格：￥5.2161

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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IRF3415STRLPBF

Advanced Process Technology

Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide

IRF

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 3415A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半導(dǎo)體

-4.0A竊?20V P-CHANNEL MOSFET

文件：122 Kbytes Page：5 Pages

KIA

可易亞半導(dǎo)體

12V P-channel MOS FET

文件：165.46 Kbytes Page：2 Pages

FUMAN

富滿微

Heyco? PG and Metric Threaded Plugs

文件：114.81 Kbytes Page：1 Pages

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海科

Heyco? PG and Metric Threaded Plugs

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IRF3415STRLPBF產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IRF3415STRLPBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時間：2025-9-2 23:00:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Infineon(英飛凌)
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21500
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