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更新時間:2025-8-13 15:47:01
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    2020-4-18
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    2020-2-17
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    2020-1-12
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    特點 ·輸出功率MOSFET在半橋配置 ·高側(cè)柵極驅(qū)動器引導(dǎo)操作設(shè)計 ·自舉二極管集成包(HD型) ·精確的定時控制兩個功率MOSFET匹配延遲獲得50%的占空比匹配死區(qū)的1.2us ·內(nèi)部振蕩器具有可編程的頻率 ·15.6V齊納鉗位VCC的離線運行的半橋式輸出是用RT淘汰 ·微功率啟動 說明 該IR51H(四)XXX是完整的高電壓,高轉(zhuǎn)速,selfoscillating半橋電路.專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù),隨著的HEXFET®功率MOSFET技術(shù),使

    2013-2-8