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IRA-S210ST01_V01

Pyroelectric Infrared Sensors

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MuRata

村田

更新時(shí)間：2025-9-19 23:01:00
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    特點(diǎn) ·輸出功率MOSFET在半橋配置 ·高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器引導(dǎo)操作設(shè)計(jì) ·自舉二極管集成包（HD型） ·精確的定時(shí)控制兩個(gè)功率MOSFET匹配延遲獲得50％的占空比匹配死區(qū)的1.2us ·內(nèi)部振蕩器具有可編程的頻率 ·15.6V齊納鉗位VCC的離線運(yùn)行的半橋式輸出是用RT淘汰 ·微功率啟動(dòng) 說(shuō)明 該IR51H（四）XXX是完整的高電壓，高轉(zhuǎn)速，selfoscillating半橋電路.專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，隨著的HEXFET®功率MOSFET技術(shù)，使

    2013-2-8

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