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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠(chǎng)家 企業(yè) LOGO 操作
IPD90N06S4L-06

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件：169.38 Kbytes Page：9 Pages

Infineon

英飛凌

IPD90N06S4L-06產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)

    IPD90N06S4L-06

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 60V MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安裝風(fēng)格

    Through Hole

  • 封裝/箱體

    Max247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-9-15 14:33:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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