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IKW50N65F5A

High speed switching series fifth generation

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Infineon

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IKW50N65F5A

High speed switching series fifth generation

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650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation

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封裝/外殼：TO-247-3 包裝：管件 描述：IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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High speed FAST IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology

Features and Benefits: High speed F5 technology offering: ? Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies ? 650V breakdown voltage ? Low gate charge QG ? Maximum junction temperature 175°C ? Dynamically stress tested ? Qualified according to AEC-Q101 ? Green package (

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High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology

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650V IGBT high speed switching series fifth generation

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High speed switching series fifth generation

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更新時(shí)間：2025-9-17 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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