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IKW50N60H3價(jià)格

參考價(jià)格:¥18.6278

型號(hào):IKW50N60H3 品牌:Infineon 備注:這里有IKW50N60H3多少錢,2025年最近7天走勢(shì),今日出價(jià),今日競(jìng)價(jià),IKW50N60H3批發(fā)/采購(gòu)報(bào)價(jià),IKW50N60H3行情走勢(shì)銷售排行榜,IKW50N60H3報(bào)價(jià)。
型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
IKW50N60H3

High speed switching series third generation

Infineon

英飛凌

IKW50N60H3

分立式IGBT

Infineon

英飛凌

封裝/外殼:TO-247-3 包裝:管件 描述:IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

Infineon

英飛凌

600V high speed switching series third generation

High speed IGBT in Trench and Field stop technology Features: TRENCHSTOPTM technology offering ? very low VCEsat ? low EMI ? Very soft, fast recovery anti-parallel diode ? maximum junction temperature 175°C ? qualified according to JEDEC for target applications ? Pb-free lead plating; RoHS

Infineon

英飛凌

600V high speed switching series third generation

文件:1.99428 Mbytes Page:14 Pages

Infineon

英飛凌

IKW50N60H3產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    IKW50N60H3

  • 功能描述

    IGBT 晶體管 HIGH SPEED SWITCHING

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封裝/箱體

    TO-247

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間:2025-9-19 8:08:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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原廠原裝,假一罰十
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Infineon(英飛凌)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌全新特價(jià)IKW50N60H3即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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INFINEON/英飛凌
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只做原裝正品

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