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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
IDT70V7599S200BC

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆ 128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported SRAM Architecture – 64 independent 2K x 36 banks – 4 megabits of memory on chip ◆ Bank access controlled via bank address pins ◆ High-speed data access – Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/ 4.2ns (133MHz) (max.) ◆ Select

RENESAS

瑞薩

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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT

IDT70V7599S200BC產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    IDT70V7599S200BC

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA

  • RoHS

    否

  • 類別

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列

    -

  • 標準包裝

    3,000

  • 系列

    - 格式 -

  • 存儲器

    EEPROMs - 串行

  • 存儲器類型

    EEPROM

  • 存儲容量

    8K(1K x 8)

  • 速度

    400kHz

  • 接口

    I²C，2 線串口

  • 電源電壓

    1.7 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

  • 供應商設(shè)備封裝

    8-SOIC

  • 包裝

    帶卷(TR)

更新時間：2025-9-7 11:02:00
IC供應商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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QFP
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⊙⊙新加坡大量現(xiàn)貨庫存,深圳常備現(xiàn)貨!歡迎查詢!⊙
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