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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作
HVV1214-100-EK

L-Band Radar Pulsed Power Transistor 1200-1400 MHz, 200關(guān)s Pulse, 10 Duty For Ground Based Radar Applications

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HVVI

HVVi Semiconductors, Inc.

L-Band Radar Pulsed Power Transistor 1200-1400 MHz, 200關(guān)s Pulse, 10 Duty For Ground Based Radar Applications

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HVVI

HVVi Semiconductors, Inc.

L-BAND RADAR APPLICATIONS RF & MICROWAVE TRANSISTORS

DESCRIPTION The AM1214-100 device is a high power Class C transistor specifically designed for L-Band Radar pulsed driver applications. ■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION ■ EMITTER SITE BALLASTED ■ LOW THERMAL RESISTANCE ■ INPUT/OUTPUT MATCHING ■ OVERLAY GEOMETRY ■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKA

STMICROELECTRONICS

意法半導體

Radar Pulsed Power Transistor

Features ? NPN silicon microwave power transistors ? Common base configuration ? Broadband Class C operation ? High efficiency inter-digitized geometry ? Diffused emitter ballasting resistors ? Gold metallization system ? Internal input and output impedance matching ? Hermetic metal/cerami

MA-COM

Radar Pulsed Power Transistor 100W, 1.2-1.4 GHz, 2ms Pulse, 20 Duty

文件:145.52 Kbytes Page:3 Pages

MACOM

HVV1214-100-EK產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    HVV1214-100-EK

  • 制造商

    HVVI

  • 制造商全稱

    HVVI

  • 功能描述

    L-Band Radar Pulsed Power Transistor 1200-1400 MHz, 200μs Pulse, 10% Duty For Ground Based Radar Applications

更新時間:2025-8-14 20:00:00
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SKYWORKS/ALPHA/AI
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  • HX0068ANL

    HX0068ANL,全新原裝當天發(fā)貨或門市自取0755-82732291.

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