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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
HSM160JE3/TR13

封裝/外殼：DO-214BA 包裝：卷帶（TR） 描述：DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214BA 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單

Microchip

微芯科技

HSM160Je3/TR13

Si Schottky Rectifier Diodes

Microchip

微芯科技

HSM160JE3/TR13產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號

    HSM160JE3/TR13

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    Diode Schottky 60V 1A 2-Pin DO-214BA T/R

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    1.0A, 60V, VF=0.60V - Tape and Reel

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    DIODE SCHOTTKY 1A 60V SMAJ

更新時間：2025-9-20 11:50:00
IC供應(yīng)商 芯片型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Microsemi
20+
DO-214BA
36800
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
Microsemi
DO-214BA
88000
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國產(chǎn)
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電聯(lián)咨詢
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公司現(xiàn)貨,提供拆樣技術(shù)支持
Microchip Technology
25+
DO-214BA
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
MICROSEMI/美高森美
2019+PB
DO-214BA
88000
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    2021-2-16

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    2020-3-10

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    HSMS-2800-TR1G 二極管 射頻 肖特基

    2019-8-14

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    2019-8-2

  • HS9-4424BRH-雙抗輻射，非逆變電源的MOSFET驅(qū)動器

    雙抗輻射，非反相功率MOSFET驅(qū)動器 輻射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，雙，單片高速MOSFET驅(qū)動器設(shè)計的高電流轉(zhuǎn)換為TTL電平信號在電壓高達(dá)18V的輸出。這些設(shè)備的投入是TTL兼容，可我們的房協(xié)直接驅(qū)動，1825ARH脈寬調(diào)制器或我們的加勒比國家聯(lián)盟/青蒿素和HCS/ HCTS會類型的邏輯器件。快速崛起時間和高電流輸出允許非常快速控制高功率MOSFET柵極電容，像我們的抗輻射FS055，在高頻率的應(yīng)用。高電流輸出減少功率損耗通過快速的MOSFET柵極充電和放電電容。輸出級采用了低電壓鎖出電路，放進一個三態(tài)模式輸出當(dāng)電源電壓下降為低于10V房協(xié)，4

    2013-3-2

  • HS9S-117RH-8-抗輻射可調(diào)節(jié)正電壓穩(wěn)壓器

    硬化HS -117RH輻射是一種積極的調(diào)節(jié)電壓線性穩(wěn)壓器高達(dá)40VDC的經(jīng)營能力。該電壓調(diào)節(jié)從1.2V至37V的兩個外部電阻。該設(shè)備的采購能夠從50mA至1.25APEAK（分鐘）。保護是由片上熱關(guān)斷和輸出電流限制電路。Intersil的HS -117RH比其他行業(yè)的優(yōu)勢標(biāo)準(zhǔn)類型的電路，以減少注冊成立在設(shè)備的輻射和溫度穩(wěn)定性的影響。低劑量率可忽略不計的靈敏度達(dá)到通過使用垂直晶體管幾何。與介質(zhì)隔離Intersil的構(gòu)造拉德硬硅門（RSG）的過程中，HS -117RH都難單事件閉鎖，并經(jīng)過特別設(shè)計，提供高度可靠的性能在惡劣的輻射環(huán)境。 特點 •電甄

    2013-1-28

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