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HSEC8-180-03-S-DV

包裝：散裝 描述：CONN EDGE DUAL FML 160POS 0.031 連接器，互連器件 邊緣板連接器

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更新時(shí)間：2025-9-6 9:07:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨
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只做原廠原裝正品終端客戶免費(fèi)申請(qǐng)樣品
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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    2021-2-16

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    HSF系列散熱器/風(fēng)扇組合 Wakefield-Vette的散熱器/風(fēng)扇組合設(shè)計(jì)用于許多行業(yè)的氣流應(yīng)用

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    雙抗輻射，非反相功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器 輻射硬化的Hs4424RH和HS -4424BRH是非相，雙，單片高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的高電流轉(zhuǎn)換為TTL電平信號(hào)在電壓高達(dá)18V的輸出。這些設(shè)備的投入是TTL兼容，可我們的房協(xié)直接驅(qū)動(dòng)，1825ARH脈寬調(diào)制器或我們的加勒比國家聯(lián)盟/青蒿素和HCS/ HCTS會(huì)類型的邏輯器件?？焖籴绕饡r(shí)間和高電流輸出允許非?？焖倏刂聘吖β蔒OSFET柵極電容，像我們的抗輻射FS055，在高頻率的應(yīng)用。高電流輸出減少功率損耗通過快速的MOSFET柵極充電和放電電容。輸出級(jí)采用了低電壓鎖出電路，放進(jìn)一個(gè)三態(tài)模式輸出當(dāng)電源電壓下降為低于10V房協(xié)，4

    2013-3-2

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    抗輻射雙通道，逆變電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 輻射硬化的Hs4423RH和房協(xié)，4423BRH是反轉(zhuǎn)，雙通道，單片高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)的高電流轉(zhuǎn)換為TTL電平信號(hào)在電壓高達(dá)18V的輸出。這些設(shè)備的投入是TTL兼容，可我們的房協(xié)直接驅(qū)動(dòng)，1825ARH脈寬調(diào)制器或我們的加勒比國家聯(lián)盟/青蒿素和HCS/ HCTS會(huì)類型的邏輯器件。快速崛起時(shí)間和高電流輸出允許非?？焖倏刂聘吖β蔒OSFET柵極電容，像我們的抗輻射FS055，在高頻率的應(yīng)用。高電流輸出減少功率損耗通過快速的MOSFET柵極充電和放電電容。輸出級(jí)采用了低電壓鎖出電路，放進(jìn)一個(gè)三態(tài)模式輸出當(dāng)電源電壓下降為低于10V房協(xié)

    2013-3-2

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    硬化HS -117RH輻射是一種積極的調(diào)節(jié)電壓線性穩(wěn)壓器高達(dá)40VDC的經(jīng)營能力。該電壓調(diào)節(jié)從1.2V至37V的兩個(gè)外部電阻。該設(shè)備的采購能夠從50mA至1.25APEAK（分鐘）。保護(hù)是由片上熱關(guān)斷和輸出電流限制電路。Intersil的HS -117RH比其他行業(yè)的優(yōu)勢(shì)標(biāo)準(zhǔn)類型的電路，以減少注冊(cè)成立在設(shè)備的輻射和溫度穩(wěn)定性的影響。低劑量率可忽略不計(jì)的靈敏度達(dá)到通過使用垂直晶體管幾何。與介質(zhì)隔離Intersil的構(gòu)造拉德硬硅門（RSG）的過程中，HS -117RH都難單事件閉鎖，并經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，提供高度可靠的性能在惡劣的輻射環(huán)境。 特點(diǎn) •電甄

    2013-1-28

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