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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家 企業(yè) LOGO 操作
HIP6601BECBZA-T

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸露焊盤 包裝：管件 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成電路（IC） 柵極驅(qū)動(dòng)器

ETC

知名廠家

Comfort Probe with Removable 4mm Banana Plug Adapter

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POMONA

Pomona Electronics

750 MHz to 1160 MHz Rx Mixer with Integrated Fractional-N PLL and VCO

文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages

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亞德諾

1200 MHz to 3600 MHz Rx Mixer with Integrated Fractional-N PLL and VCO

文件：834.01 Kbytes Page：32 Pages

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亞德諾

750 MHz to 1160 MHz Rx Mixer with Integrated Fractional-N PLL and VCO

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亞德諾

Low Noise JFET Amplifiers

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

HIP6601BECBZA-T產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)

    HIP6601BECBZA-T

  • 功能描述

    功率驅(qū)動(dòng)器IC W/ANNEAL SYNCHRONUSC BUCK MSFT DRVR

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Micrel

  • 產(chǎn)品

    MOSFET Gate Drivers

  • 類型

    Low Cost High or Low Side MOSFET Driver

  • 電源電壓-最大

    30 V

  • 電源電壓-最小

    2.75 V

  • 最大工作溫度

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體

    SOIC-8

  • 封裝

    Tube

更新時(shí)間：2025-9-15 23:01:00
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INTERSIL
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718
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  • HIP6601-同步整流降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器

    同步整流MOSFET的降壓驅(qū)動(dòng)程序 HIP6601和HIP6603的高頻率，雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)功率 N溝道MOSFET在同步整流降壓轉(zhuǎn)換器。與HIP630x結(jié)合這些驅(qū)動(dòng)程序多相降壓PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一個(gè)完整的核心電壓調(diào)節(jié)器解決方案 先進(jìn)的微處理器。驅(qū)動(dòng)的HIP6601在同步整流更低的柵極大橋至12V，而高門可以獨(dú)立推動(dòng)在一個(gè)范圍從5V至12V。驅(qū)動(dòng)器的HIP6603以上為5V至12V范圍內(nèi)的上下門。這驅(qū)動(dòng)電壓的靈活性提供了優(yōu)化的優(yōu)勢(shì)應(yīng)用領(lǐng)域涉及開關(guān)損耗之間的權(quán)衡和傳導(dǎo)損耗。在HIP

    2013-3-3

  • HIP6602-雙通道同步整流降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器

    雙通道同步整流降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器 該HIP6602是一個(gè)高頻率，兩間電力通道MOSFET驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)四個(gè)電源N溝道MOSFET在同步整流降壓轉(zhuǎn)換器。與HIP63xx結(jié)合這些驅(qū)動(dòng)程序系列多相降壓PWM控制器和Intersil的UltraFETs®形成一個(gè)完整的核心電壓穩(wěn)壓器解決方案先進(jìn)的微處理器。在驅(qū)動(dòng)器的HIP6602上下都是一個(gè)蓋茨范圍為5V至12V。這個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓提供了靈活性優(yōu)化應(yīng)用程序中受益，涉及權(quán)衡之間的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗。在HIP6602輸出驅(qū)動(dòng)器有能力在高效率開關(guān)頻率功率MOSFET。每個(gè)司機(jī)是駕駛一輛帶有30ns一個(gè)3000pF負(fù)載的能力傳播

    2013-3-3

  • HIP6603-同步整流降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器

    同步整流MOSFET的降壓驅(qū)動(dòng)程序 HIP6601和HIP6603的高頻率，雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)功率N溝道MOSFET在同步整流降壓轉(zhuǎn)換器。與HIP630x結(jié)合這些驅(qū)動(dòng)程序多相降壓PWM控制器和Intersil UltraFETs™形成一個(gè)完整的核心電壓調(diào)節(jié)器解決方案先進(jìn)的微處理器。驅(qū)動(dòng)的HIP6601在同步整流更低的柵極大橋至12V，而高門可以獨(dú)立推動(dòng)在一個(gè)范圍從5V至12V。驅(qū)動(dòng)器的HIP6603以上為5V至12V范圍內(nèi)的上下門。這驅(qū)動(dòng)電壓的靈活性提供了優(yōu)化的優(yōu)勢(shì)應(yīng)用領(lǐng)域涉及開關(guān)損耗之間的權(quán)衡 和傳導(dǎo)損耗。在HIP6601和HI

    2013-3-3

  • HIP6521-PWM和三線性電源控制器

    PWM和三線性電源控制器 該HIP6521提供了電源控制和保護(hù)四在高性能微處理器的輸出電壓與計(jì)算機(jī)應(yīng)用。該IC集成了voltagemode PWM控制器和三線性控制器，以及到一個(gè)16引腳SOIC監(jiān)測(cè)和保護(hù)功能包。 PWM控制器是為了規(guī)范內(nèi)存與微處理器核心電壓synchronousrectified 降壓轉(zhuǎn)換器。擬線性控制器規(guī)范計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的AGP總線1.5V的電源，時(shí)鐘2.5V的電源，并為北/南1.8V電源大橋的核心電壓和/或高速緩存存儲(chǔ)器電路。無論是開關(guān)穩(wěn)壓器與線性電壓基準(zhǔn)提供± 2行以上，負(fù)載靜態(tài)調(diào)節(jié)％，溫度范圍。所有輸出是用戶可調(diào)的手段外部電阻分壓器。所有的線性控制器采用

    2013-2-20

  • HIP6500-多與ACPI控制接口線性電源控制器

    無論an補(bǔ)充的HIP6500 HIP6020或HIP6021 在微處理器和計(jì)算機(jī)符合ACPI的設(shè)計(jì) 應(yīng)用。該IC集成了兩個(gè)線性控制器和兩個(gè) 成穩(wěn)壓器，開關(guān)，監(jiān)測(cè)和控制功能 20引腳SOIC封裝。一個(gè)線性控制器產(chǎn)生 從ATX電源的5VSB輸出電壓3.3VDUAL飛機(jī)， 供電通過一個(gè)外部晶體管的PCI插槽 在睡眠狀態(tài)（S3，S4/S5）。第二個(gè)晶體管，是用來 開關(guān)在S0和ATX 3.3V輸出操作 S1/S2（活動(dòng)）的運(yùn)行狀態(tài)。第二個(gè)線性控制器 提供計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的2.5V/3.3V記憶力 通過在活動(dòng)狀態(tài)的外部旁路晶體管。在S3 狀態(tài)，通過一個(gè)集成的晶體管用品2.5V/3.3V 睡眠的力量。一起來5VD

    2013-1-28

  • HIP6200-瞬態(tài)電壓調(diào)節(jié)器

    Intersil的斬首有助于穩(wěn)定電源系統(tǒng)在嚴(yán)重的電壓瞬變。它實(shí)現(xiàn)這一由提供電流當(dāng)電壓超過1％的低或吸收電流時(shí)的電壓高于1.5％的平均負(fù)載電壓?？焖偎矐B(tài)響應(yīng)的斬首可以彌補(bǔ)慢響應(yīng)時(shí)間許多開關(guān)DC- DC轉(zhuǎn)換器。雖然HIP6200作為一個(gè)簡(jiǎn)單的替代對(duì)于任何動(dòng)態(tài)負(fù)載較大的輸出電容，它是特別有助于穩(wěn)定便攜式CPU核心電壓計(jì)算機(jī)應(yīng)用中，規(guī)模和效益是主要的關(guān)注。該斬首使電源設(shè)計(jì)為不增加更強(qiáng)大的微處理器轉(zhuǎn)換器的大小或降低轉(zhuǎn)換效率。該斬首行為獨(dú)立于PWM控制電路。這簡(jiǎn)化了轉(zhuǎn)換器的布局，因?yàn)閿厥缀拓?fù)載可能位于分開在DC- DC轉(zhuǎn)換器。該斬首應(yīng)設(shè)附近以獲得最佳性能負(fù)載。... 特點(diǎn)

    2013-1-28

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