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型號 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features ? Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. ? 10μs Short Circuit Capability. ? Square RBSOA. ? Positive VCE (on) Temperature Coefficient. ? Maximum Junction Temperature rated at 175°C. Benefits ? Benchmark Efficiency for Motor Control. ? Rugged Transient Performance. ? Low

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萬國半導體

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更新時間:2025-8-14 20:18:01
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