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型號(hào) 功能描述 生產(chǎn)廠家&企業(yè) LOGO 操作

Low VCE(sat) High speed IGBT

Low VCE(sat) High speed IGBT Features ? International standard package JEDEC TO-247 AD ? 2nd generation HDMOSTM process ? Low VCE(sat) - for low on-state conduction losses ? MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications ? AC motor speed control ? DC servo and robot drives ? DC

IXYS

Extremely enhanced avalanche capability

General Description Din-Tek Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and short circuit ruggedness. It is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies(UPS), general inverters. FEATURES ·High speed switching ·High ruggedness,

DINTEK

IGBT

General Description Employing NPT technology, Fairchild’s AN series of IGBTs provides low conduction and switching losses. The AN series offers an solution for application such as induction heating (IH), motor control, general purpose inverters and uninterruptible power supplies (UPS).

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package

文件：769.42 Kbytes Page：6 Pages

FOSHAN

藍(lán)箭電子

1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages

ONSEMI

安森美半導(dǎo)體

更新時(shí)間：2025-8-11 23:01:01
IC供應(yīng)商 芯片型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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    瀚佳科技(深圳)有限公司 專業(yè)為工廠一站式BOM配單服務(wù)

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    概述 在G2995是一個(gè)線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)，以滿足JEDEC SSTL- 2和SSTL- 3（系列存根終止邏輯）的DDR- SDRAM終端規(guī)范。它包含一個(gè)高速運(yùn)算放大器，可提供出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。這設(shè)備可以提供1.5A的連續(xù)電流和瞬態(tài)峰達(dá)至所需的應(yīng)用程序中的3ADDR- SDRAM終止。具有獨(dú)立VSENSE引腳，G2995可提供卓越的負(fù)載調(diào)節(jié)。在G2995提供作為參考VREF輸出芯片組和DIMM的申請(qǐng)。在G2995可以輕松地提供準(zhǔn)確的VTT和VREF電壓，無(wú)需外部電阻器的印刷電路板領(lǐng)域可以減少。靜態(tài)電流低至作為280μA@2.5V。因此，電力消耗滿足低功耗的應(yīng)用。

    2013-1-29

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