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LowVCE(sat)HighspeedIGBT

LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

Extremelyenhancedavalanchecapability

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,

DINTEK

Din-Tek Semiconductor

IGBT

GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

文件：769.42 Kbytes Page：6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

FOSHAN

1200V,25ANPTTrenchIGBT

文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

ONSEMI
更新時間：2025-7-23 10:03:01
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    概述在G2995是一個線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)，以滿足JEDECSSTL-2和SSTL-3（系列存根終止邏輯）的DDR-SDRAM終端規(guī)范。它包含一個高速運(yùn)算放大器，可提供出色的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。這設(shè)備可以提供1.5A的連續(xù)電流和瞬態(tài)峰達(dá)至所需的應(yīng)用程序中的3ADDR-SDRAM終止。具有獨(dú)立VSENSE引腳，G2995可提供卓越的負(fù)載調(diào)節(jié)。在G2995提供作為參考VREF輸出芯片組和DIMM的申請。在G2995可以輕松地提供準(zhǔn)確的VTT和VREF電壓，無需外部電阻器的印刷電路板領(lǐng)域可以減少。靜態(tài)電流低至作為280μA@2.5V。因此，電力消耗滿足低功耗的應(yīng)用。

    2013-1-29

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